近日英国普莱塞半导体(Plessey Semiconductors)公开发布了一项新产品——基于硅基氮化钾制造平台的LED。 据了解,该产品可在420mA的条件下提供350mW的辐射功率。 早在今年4月,普莱思就宣布将推出可论证硅基氮化镓技术的PL111010LED产品,这些新型LED产品可通过高达1A的连续电流和2A的脉冲电流进行驱动。新产品的功率也高于此前普莱塞的硅基LED设备,可用于一般的固态照明领域。 虽然目前尚无法得知普莱思为何仅推出此新型LED设计的蓝色版本,可以肯定的是该设备可用于远程磷光体应用。435–460nm主波长范围类似于主要LED制造商针对远程SSL产品推出的宝蓝色LED;该公司并未表示接下来是否会推出此新型LED的白色磷光体转换版本。 普莱塞的HBLED模块 GaN-on-Si的魅力在于,利用更低廉、普遍可用的硅晶片和自动化后端制造工具,可以生产出成本更低的LED。 普莱塞首席运营官巴里·丹宁顿(Barry Dennington)表示,“新型350mW产品验证了我们在集成电路生产线上制造6英寸硅基氮化镓LED的固有灵活性。我们的产品在输出效率上取得了持续改进,未来我们将推出更多更优质的新产品”。 该产品的推出,将对LED产业提供更加鲜活的技术支持。更多新闻请继续关注广告买卖网。 本站文章部分内容转载自互联网,供读者交流和学习,如有涉及作者版权问题请及时与我们联系,以便更正或删除。感谢所有提供信息材料的网站,并欢迎各类媒体与我们进行文章共享合作。
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