日前,加州大学伯克利分校和劳伦斯伯克利国家实验室的工程师们公开发布了一项新工艺,这项工艺可以复薄膜上的常见缺陷。 通过超强有机酸处理由二硫化钼制成的单层半导体,研究人员能够让材料的效率实现百倍增长。首席研究员,加州大学伯克利分校教授Ali Javey表示:“这项研究是‘一片完美的单层光电材料’的首次展示,此前我们从未听闻如此薄的材料可以做到”。 上图展示的是被激光所激发的无缺陷二硫化钼(MoS2)单层半导体,其有助于透明led显示屏、超高效率太阳能面板、光电探测器、以及纳米级晶体管的发展。 研究人员们打造出了只有7/10纳米厚度的二硫化钼层,比直径2.5nm的人类DNA还要细。将材料浸渍于超强酸中,能够祛除污染物和填充缺失的原子以修复缺陷——这一化学反应被称作“质子注入”(protonation) 业界对于单层半导体的浓厚兴趣,源于其对于光的低吸收、以及能够承受因弯曲和其它压力所造成的扭转的特性。这使得其成为了透明。 上图左-Cal Logo形状的MoS2单层半导体;上图右-经过超强酸处理过后的效果。 这一工艺亦可通过移除缺陷来提升晶体管的性能,在芯片变得更小更薄的时候,缺陷也成为了制约计算机发展的一个重要阻碍。 Javey表示:“无缺陷单层材料的开发,还可以扫清许多开发新类型低能耗切换器时所遇到的问题”。该团队的工作成果,已经发表在了近日出版的《自然》(Science)期刊上。 这项发现可推动原子级单层半导体的发展,适用于透明led屏、高效太阳能电池、以及微型晶体管。更多广告材料采购请继续关注媒体资源网。 本站文章部分内容转载自互联网,供读者交流和学习,如有涉及作者版权问题请及时与我们联系,以便更正或删除。感谢所有提供信息材料的网站,并欢迎各类媒体与我们进行文章共享合作。
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